Модули памяти Silicon Power DDR3-1333 объёмом 1 Гб

Пресс-служба компании Silicon Power опубликовала официальное сообщение о выводе на рынок новых модулей памяти Unbuffered DDR3, функционирующих на частоте 1333 МГц с задержками CL9 и обладающих объёмом 1 Гб.

Согласно озвученной информации, каждая планка сформирована на 6-слойной печатной плате с соблюдением всех требований стандартов JEDEC, основана на чипах памяти с корпусировкой FBGA и имеет схему организации 128Мx8. При этом особо подчёркивается, что в новинках применена передовая технология ASR (Automatic Self-Refresh) Technology, призванная заметно понизить тепловыделение, а также уменьшить энергопотребление изделий. Кроме того, отмечается, что модули характеризуются напряжением питания 1,5 В и обеспечиваются пожизненной гарантией качества.

Вот только о стоимости и сроках начала массовых продаж своих продуктов разработчики пока сведений не предоставили.

Последние тематические новости...

• Падение цен на оперативную память остановить не удается
• Оперативная память стандарта DDR4 появится в 2011 году
• OCZ первой предложила 4 Гб памяти DDR3-2000
• G.Skill: Пи-серия из 13 комплектов модулей DDR2/DDR3
• 16 Гб памяти DDR2-800 от G.Skill для дизайнеров и аниматоров
• Память G.Skill DDR3-1800 CL7 с кулером Antazone RamMod